Formation of sige nanocrystals in HfO 2 using in situ chemical vapor deposition for memory applications

Formation of sige nanocrystals in HfO 2 using in situ chemical vapor deposition for memory applications

10.1063/1.1758297

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Gupta, R., Yoo, W.J., Wang, Y., Tan, Z., Samudra, G., Lee, S., Chan, D.S.H., Loh, K.P., Bera, L.K., Balasubramanian, N., Kwong, D.-L.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82378
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة

Effects of Annealing and Ar Ion Bombardment on the Removal of HfO 2 Gate Dielectric
بواسطة: Chen, J., وآخرون
منشور في: (2014)

Improvement of Electrical Properties of MOCVD HfO2 by Multistep Deposition
بواسطة: Yeo, C.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Self-assembly of Ni nanocrystals on HfO2 and N -assisted Ni confinement for nonvolatile memory application
بواسطة: Tan, Z., وآخرون
منشور في: (2014)

MOS Characteristics of synthesized HfAlON-HfO2 stack using AlN-HfO2
بواسطة: Park, C.S., وآخرون
منشور في: (2014)

SiGe on insulator MOSFET integrated with Schottky source/drain and HfO 2/TaN gate stack
بواسطة: Gao, F., وآخرون
منشور في: (2014)

Schottky source/drain transistor on thin SiGe on insulator integrated with HfO2/TaN gate stack
بواسطة: Gao, F., وآخرون
منشور في: (2014)

Wet etching characteristics and surface morphology evaluation of MOCVD grown HfO2 film
بواسطة: Balasubramanian, M., وآخرون
منشور في: (2014)

Effects of N2, O2, and Ar plasma treatments on the removal of crystallized HfO2 film
بواسطة: Chen, J., وآخرون
منشور في: (2014)

Robust High-Quality HfN-HfO 2 Gate Stack for Advanced MOS Device Applications
بواسطة: Yu, H.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Thermally Robust High Quality HfN/HfO 2 Gate Stack for Advanced CMOS Devices
بواسطة: Yu, H.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

HfO2 and Lanthanide-doped HfO2 MIM Capacitors for RF/Mixed IC Applications
بواسطة: Kim, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

TDDB characteristics of ultra-thin HfN/HfO2 gate stack
بواسطة: Yang, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Frequency dependent dynamic charge trapping in HfO 2 and threshold voltage instability in MOSFETs
بواسطة: Shen, C., وآخرون
منشور في: (2014)

Investigation of etching properties of HfO based high-K dielectrics using inductively coupled plasma
بواسطة: Chen, J., وآخرون
منشور في: (2014)

A novel surface passivation process for HfO 2 Ge MOSFETs
بواسطة: Wu, N., وآخرون
منشور في: (2014)

Formation of polycrystalline silicon germanium/HfO2 gate stack structure using inductively coupled plasma etching
بواسطة: Chen, J., وآخرون
منشور في: (2014)

Dual Poly-Si Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors Fabricated with High-Quality Chemical Vapor Deposition HfO 2 Gate Dielectrics
بواسطة: Lee, S., وآخرون
منشور في: (2014)

Quantum tunneling and scalability of HfO2 and HfAlO gate stacks
بواسطة: Hou, Y.T., وآخرون
منشور في: (2014)

Modeling of tunneling currents through HfO2 and (HfO2)x(Al2O3)1-x gate stacks
بواسطة: Hou, Y.T., وآخرون
منشور في: (2014)

Tungsten nanocrystals embedded in high- k materials for memory application
بواسطة: Samanta, S.K., وآخرون
منشور في: (2014)

Effect of annealing on the composition and structure of HfO2 and nitrogen-incorporated HfO2
بواسطة: Yeo, C.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Effective suppression of fermi level pinning in poly-Si/HfO2 gate stack by using poly-SiGe gate
بواسطة: Yu, X., وآخرون
منشور في: (2014)

MIM capacitors with HfO2 and HfAlOx for Si RF and analog applications
بواسطة: Yu, X., وآخرون
منشور في: (2014)

Cubic-structured HfO2 with optimized doping of lanthanum for higher dielectric constant
بواسطة: He, W., وآخرون
منشور في: (2014)

Partial crystallization of HfO2 for two-bit/four-level SONOS-type flash memory
بواسطة: Zhang, G., وآخرون
منشور في: (2014)

Gate-first germanium nMOSFET with CVD HfO2 gate dielectric and silicon surface passivation
بواسطة: Wu, N., وآخرون
منشور في: (2014)

Formation of Ge nanocrystals in HfAlO high-k dielectric and application in memory device
بواسطة: Wang, Y.Q., وآخرون
منشور في: (2014)

Scalability and reliability of TaN/HfN/HfO2 gate stacks fabricated by a high temperature process
بواسطة: Kang, J.F., وآخرون
منشور في: (2014)

Structural characterisation of polycrystalline SiGe thin film
بواسطة: Teh, L.K., وآخرون
منشور في: (2014)

A TaN-HfO2-Ge pMOSFET with novel SiH4 surface passivation
بواسطة: Wu, N., وآخرون
منشور في: (2014)

Characteristics of sub-1 nm CVD HfO2 gate dielectrics with HfN electrodes for advanced CMOS applications
بواسطة: Kang, J.F., وآخرون
منشور في: (2014)

Self-assembled tungsten nanocrystals in high- k dielectric for nonvolatile memory application
بواسطة: Samanta, S.K., وآخرون
منشور في: (2014)

Charge trapping and TDDB characteristics of ultrathin MOCVD HfO2 gate dielectric on nitrided germanium
بواسطة: Bai, W., وآخرون
منشور في: (2014)

PVD HfO2 for high-precision MIM capacitor applications
بواسطة: Kim, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

In situ X-ray photoelectron spectroscopy studies of HfO2 gate dielectric on SiC
بواسطة: Chen, Q., وآخرون
منشور في: (2014)

HfO2 gate dielectrics for future generation of CMOS device application
بواسطة: Yu, H.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

BTI and charge trapping in germanium p- And n-MOSFETs with CVD HfO 2 gate dielectric
بواسطة: Wu, N., وآخرون
منشور في: (2014)

Physical characterization of HfO2 & HfO2-Al2O3 alloy thin films
بواسطة: TOK KWEE LEE
منشور في: (2010)

Nonvolatile flash memory device using Ge nanocrystals embedded in HfAlO High-κ tunneling and control oxides: Device fabrication and electrical performance
بواسطة: Chen, J.H., وآخرون
منشور في: (2014)

Selected topics on HfO 2 gate dielectrics for future ULSI CMOS devices
بواسطة: Li, M.F., وآخرون
منشور في: (2014)