Self-rectifying and forming-free unipolar HfO x based-high performance RRAM built by fab-avaialbe materials

Self-rectifying and forming-free unipolar HfO x based-high performance RRAM built by fab-avaialbe materials

10.1109/IEDM.2011.6131648

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Tran, X.A., Gao, B., Kang, J.F., Wu, X., Wu, L., Fang, Z., Wang, Z.R., Pey, K.L., Yeo, Y.C., Du, A.Y., Liu, M., Nguyen, B.Y., Li, M.F., Yu, H.Y.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: Conference or Workshop Item
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84169
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة