Plasma PH3-passivated high mobility inversion InGaAs MOSFET fabricated with self-aligned gate-first process and HfO2/TaN gate stack

Plasma PH3-passivated high mobility inversion InGaAs MOSFET fabricated with self-aligned gate-first process and HfO2/TaN gate stack

10.1109/IEDM.2008.4796705

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Lin, J., Lee, S., Oh, H.-J., Yang, W., Lo, G.Q., Kwong, D.L., Chi, D.Z.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: Conference or Workshop Item
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84101
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore

مواد مشابهة

مواد مشابهة