Applications of finite element methods for reliability study of ULSI interconnections
Three main failure mechanisms of ULSI interconnects are the electromigration (EM), stress induced voiding (SIV) and low-k dielectric breakdown. Reliability tests for these mechanisms are too long to meet the development time requirement, and the underlying dominant mechanisms cannot be identified, r...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Tan, Cher Ming, Li, Wei, Gan, Zhenghao |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/97730 http://hdl.handle.net/10220/11155 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Reliability modeling for ULSI interconnects
بواسطة: Hou, Yue Jin
منشور في: (2010) -
Effectiveness of reservoir length on electromigration lifetime enhancement for ULSI interconnects with advanced technology nodes
بواسطة: Tan, Cher Ming, وآخرون
منشور في: (2013) -
Realistic modeling of electromigration in today’s ULSI interconnections
بواسطة: Li, Wei
منشور في: (2009) -
Fabrication and characterization of mesoporous dielectric materials for ULSI interconnect applications
بواسطة: Yu, Suzhu
منشور في: (2008) -
Current crowding effect on copper dual damascene via bottom failure for ULSI applications
بواسطة: Vairagar, A. V., وآخرون
منشور في: (2009)