A comparative study of HfTaON/SiO2 and HfON/SiO2 gate stacks with TaN metal gate for advanced CMOS applications

10.1109/TED.2006.888669

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Yu, X., Yu, M., Zhu, C.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81846
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة