A comparative study of HfTaON/SiO2 and HfON/SiO2 gate stacks with TaN metal gate for advanced CMOS applications
10.1109/TED.2006.888669
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Yu, X., Yu, M., Zhu, C. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81846 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Advanced HfTaON/SiO2 gate stack with high mobility and low leakage current for low-standby-power application
بواسطة: Yu, X., وآخرون
منشور في: (2014) -
Pt-germanide schottky source/drain germanium p-MOSFET with HfO2 gate dielectric and TaN gate electrode
بواسطة: Li, R., وآخرون
منشور في: (2014) -
The role of nitrogen on charge-trapping-induced Vth instability in HfAlON high-κ gate dielectric with metal and poly-Si gate electrodes
بواسطة: Yu, X., وآخرون
منشور في: (2014) -
The effect of an yttrium interlayer on a Ni germanided metal gate workfunction in SiO2/HfO2
بواسطة: Yu, H.P., وآخرون
منشور في: (2014) -
Characteristics of self-aligned gate-first Ge p- and n-channel MOSFETs using CVD HfO2 gate dielectric and Si surface passivation
بواسطة: Wu, N., وآخرون
منشور في: (2014)