GaAs p- and n-MOS devices integrated with novel passivation (plasma nitridation and AlN-surface passivation) techniques and ALD-HfO2/TaN gate stack

GaAs p- and n-MOS devices integrated with novel passivation (plasma nitridation and AlN-surface passivation) techniques and ALD-HfO2/TaN gate stack

10.1109/IEDM.2006.346743

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Gao, F., Lee, S.J., Li, R., Whang, S.J., Balakumar, S., Chi, D.Z., Kean, C.C., Vicknesh, S., Tung, C.H., Kwong, D.-L.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: Conference or Workshop Item
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83754
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة